【摘要】平面型產(chǎn)品，后視圖無設(shè)計內(nèi)容，省略后視圖?！緦＠愋汀客庥^設(shè)計【申請人】上海黎輝絨繡藝術(shù)有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201300上海市南匯區(qū)南匯工業(yè)園區(qū)滬南路9828號307室6號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【
【摘要】 本發(fā)明提供了一種消除光刻膠中氣泡的方法，具體工藝步驟為：對晶片進(jìn)行第一次烘焙；沉積凸點(diǎn)下金屬層；形成光刻膠層；進(jìn)行第二次烘焙。使用上述的方法能消除具有各種結(jié)構(gòu)的晶片表面的氣泡，消除率達(dá)到99.9％。本發(fā)明還提供一種消除了光刻膠中氣泡的凸點(diǎn)制作方法，以提高凸點(diǎn)制作工藝的良品率。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】201203上海市浦東新區(qū)張江路18號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】浦東新區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610026756.9 【申請日】2006-05-22 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101078890A 【公開公告日】2007-11-28 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN101078890B 【授權(quán)公告日】2010-11-10 【授權(quán)公告年份】2010.0 【IPC分類號】G03F7/26; H01L21/00 【發(fā)明人】梅娜; 王津洲 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種消除光刻膠中氣泡的方法，其特征在于包括下列步驟：對晶片進(jìn) 行第一次烘焙；沉積凸點(diǎn)下金屬層；形成光刻膠層；進(jìn)行第二次烘焙。 【當(dāng)前權(quán)利人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市浦東新區(qū)張江路18號 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司(外國法人獨(dú)資) 【統(tǒng)一社會信用代碼】91310115710939629R 【引證次數(shù)】2.0 【被引證次數(shù)】7 【他引次數(shù)】2.0 【被自引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】5.0 【家族引證次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】7
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