【摘要】一種耐高溫有機(jī)硅樹脂的制造方法。它屬于有機(jī)硅樹脂的生產(chǎn)領(lǐng)域。該樹脂的主要鏈節(jié)是{RS1012}m{R2SiO222}。該樹脂以三官能有機(jī)硅烷與二官能有機(jī)硅烷為原料，以1∶0.2～和1.1克分子的比例均勻混合，通過水解、洗滌、除溶劑等
【摘要】 本發(fā)明公開了一種生長在 Al2O3襯底上的復(fù)合緩沖層及制備方法，該復(fù)合緩沖層包括：依 次排列生成的AlN層、GaN層、InN : Mn層及InN過渡層。制 備方法采用MBE生長方式，首先采用高溫氮化技術(shù)在 Al2O3表面形成AlN層；再分三步進(jìn)行GaN層生長；進(jìn)一步在 GaN層上，生長InN : Mn層；再生長InN過渡層。 由于Mn的擴(kuò)散系數(shù)較大，在InN薄膜生長時(shí)摻入少量的Mn 原子可以起到活性劑作用，有利于InN的成核和InN成核島之 間的融合，使得InN : Mn在GaN層上很快由三維變?yōu)槎S生長。 為防止Mn的擴(kuò)散對(duì)于后續(xù)InN單晶薄膜的物理性質(zhì)的影響， 在生長好InN : Mn層后，再生長InN過渡層。最后，在AlN－ GaN－InN : Mn－InN復(fù)合緩沖層的基礎(chǔ)上就可生長高質(zhì)量的 InN單晶薄膜。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】200083上海市玉田路500號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】虹口區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610117009.6 【申請(qǐng)日】2006-10-11 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1945863A 【公開公告日】2007-04-11 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100407465C 【授權(quán)公告日】2008-07-30 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號(hào)】H01L33/00; H01L31/0304; H01L29/20; H01L21/20; H01L33/12 【發(fā)明人】陳平平; 陸衛(wèi); 劉昭麟; 李天信; 王少偉; 陳效雙 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種生長在Al2O3襯底(1)上的復(fù)合緩沖層，其特征在于：該復(fù)合緩沖 層包括：依次排列生成的AlN層(2)、GaN層(3)、InN : Mn層(4)及InN過渡 層(5)。 （來源 馬克數(shù)據(jù)網(wǎng)） 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市玉田路500號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000425005579K 【被引證次數(shù)】12 【被自引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】11.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】12
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