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【摘要】本發(fā)明涉及提高DRAM存儲(chǔ)單元電容器面積的方法，該方法包括：在硅襯底上形成DRAM的字線；在硅襯底上形成淺溝隔離；制作位線；電介質(zhì)覆蓋，并形成存儲(chǔ)電容的接觸窗；填充材料到接觸窗；交替形成兩種電介質(zhì)層；第一次刻蝕形成電容器圖案；第二次

【摘要】1.該產(chǎn)品為平面產(chǎn)品。 2.后視圖無設(shè)計(jì)要點(diǎn)，省略后視圖。 3.請(qǐng)求保護(hù)的外觀設(shè)計(jì)包含有色彩?！緦＠愋汀客庥^設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】社團(tuán)法人浦東新區(qū)工程師協(xié)會(huì); 肖磊【申請(qǐng)人類型】個(gè)人,機(jī)關(guān)團(tuán)體【申請(qǐng)人地址】201203上海市張江高科技園區(qū)

【摘要】一種具有定位結(jié)構(gòu)的化妝鏡盒，主要包括底托、上蓋、放大鏡，其特征在于所述一斜邊抽塊的兩邊上部為斜面，內(nèi)側(cè)設(shè)有滑槽凸塊，底托兩邊外側(cè)各設(shè)有滑槽，斜邊抽塊嵌裝在底托末端，上蓋的末端與底托的末端通過轉(zhuǎn)軸組成鉸鏈狀連接，上蓋邊緣裝有一放大鏡座

【專利類型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】上海家化聯(lián)合股份有限公司【申請(qǐng)人類型】企業(yè)【申請(qǐng)人地址】200082上海市保定路527號(hào)【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó)【申請(qǐng)人城市】上海市【申請(qǐng)人區(qū)縣】虹口區(qū)【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630036513.4【申請(qǐng)日】2006-0

【專利類型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】上海家化聯(lián)合股份有限公司【申請(qǐng)人類型】企業(yè)【申請(qǐng)人地址】200082上海市保定路527號(hào)【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó)【申請(qǐng)人城市】上海市【申請(qǐng)人區(qū)縣】虹口區(qū)【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630034261.1【申請(qǐng)日】2006-0

【摘要】本發(fā)明公開的簡(jiǎn)單實(shí)用的光子晶體光纖包含纖芯、內(nèi)包層和均勻外包層，纖芯包含中央圓形分層、第一環(huán)形分層、第二環(huán)形分層以及第三環(huán)形分層；內(nèi)包層由空氣填充率大于65％的基底材料組成；纖芯材料可用純SiO2，第一環(huán)形分層、第二環(huán)形分層、第三環(huán)