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用濕法腐蝕工藝制作截面為直角三角形的納米梁加工方法

時(shí)間:2026-04-06    作者:admin 點(diǎn)擊: ( 0 ) 次

【摘要】 本發(fā)明涉及一種用濕法腐蝕工藝制作截面為直角三角形的納米梁加工方法,其特征在于利用(100)晶向硅材料各向異性腐蝕特性,納米梁形成后腐蝕即自動(dòng)停止;形成梁的橫截面為直角三角形,所述直角三角形的斜而為(111)面,側(cè)面是(110)面,底面是(100)面,梁的斜面和底面寬度由梁的高度決定,是用氧化法進(jìn)行控制的。本發(fā)明巧妙利用各向異性干法腐蝕特性和硅各向異性濕法腐蝕特性,只需一塊光刻版就可實(shí)現(xiàn)納米梁結(jié)構(gòu)的加工。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】200050上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】長(zhǎng)寧區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610148119.9 【申請(qǐng)日】2006-12-27 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN101062761A 【公開公告日】2007-10-31 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN101062761B 【授權(quán)公告日】2010-09-29 【授權(quán)公告年份】2010.0 【IPC分類號(hào)】B81C1/00 【發(fā)明人】許科峰; 楊恒; 王躍林 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種用濕法腐蝕工藝制作截面為直角三角形的納米梁加工方法,其 特征在于利用(100)晶向硅材料各向異性腐蝕特性,納米梁形成后腐蝕即 自動(dòng)停止;形成梁的橫截面為直角三角形;具體工藝步驟是: (a)臺(tái)階的制作和減薄 ①臺(tái)階的制作使用光刻—刻蝕工藝: 先進(jìn)行一次光刻,光刻時(shí)臺(tái)階方向和硅片(100)切邊方向垂直,然后 用光刻膠作掩膜,等離子刻蝕掉窗口中的上層硅,從而形成臺(tái)階; ②利用氧化減薄方法,進(jìn)行臺(tái)階減薄,形成的氧化層的厚度和消耗硅 的厚度關(guān)系是: 消耗硅的厚度=氧化層的厚度×0.46; (b)側(cè)壁保護(hù) 用PECVD生長(zhǎng)一層氮化硅,接著進(jìn)行一次光刻,使梁的兩端被光刻膠 保護(hù),然后進(jìn)行兩次干法刻蝕,分別刻蝕掉氮化硅和氧化硅;使臺(tái)階上的硅 暴露出來(lái); (c)梁的成型 在步驟(b)完成側(cè)壁保護(hù)后,用KOH腐蝕臺(tái)階,使腐蝕從臺(tái)階的上表 面向下進(jìn)行,直至露出埋層氧化硅,同時(shí)自動(dòng)形成(111)面; (d)梁結(jié)構(gòu)的釋放 用HF腐蝕埋層氧化硅實(shí)現(xiàn)梁結(jié)構(gòu)的釋放,同時(shí)使梁的側(cè)壁和兩端的氮 化硅和氧化硅被腐蝕掉。。 (macrodatas.cn) 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000425006790C 【被引證次數(shù)】3 【被他引次數(shù)】3.0 【家族引證次數(shù)】6.0 【家族被引證次數(shù)】3

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