【摘要】本發(fā)明提供一種多天線系統(tǒng)的并串行置信傳播檢測(cè)方法及其傳播檢測(cè)器，所述并行檢測(cè)方法包括以下步驟：1)初始化變量節(jié)點(diǎn)的符號(hào)比特概率；2)約束節(jié)點(diǎn)計(jì)算并更新各自連接的變量節(jié)點(diǎn)的概率信息，并將該概率信息傳遞給連接的變量節(jié)點(diǎn)；3)變量節(jié)點(diǎn)收集
【摘要】 本發(fā)明提供一種提高III－V族應(yīng)變多量子阱發(fā) 光強(qiáng)度的方法，其特征是通過離子刻蝕方法增強(qiáng)III－V族發(fā)光 材料的發(fā)光亮度。離子刻蝕覆蓋層采用感應(yīng)耦合等離子體(ICP) 或反應(yīng)離子(RIE)等刻蝕技術(shù)。刻蝕所采用的氣體為Ar離子或 Ar離子和Cl2氣的混合氣體。干 法刻蝕后，刻蝕表面至量子阱層的距離大于刻蝕損傷深度時(shí)， 量子阱干法刻蝕部位發(fā)光強(qiáng)度得到明顯增強(qiáng)。本發(fā)明提供的方 法適用的III－V族化合物材料是由氣態(tài)源分子束外延(GSMBE) 或金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)等方法生長(zhǎng)所得，利用 本發(fā)明提供的方法可使應(yīng)變多量子阱發(fā)光強(qiáng)度提高3－5倍。。關(guān)注公眾號(hào)馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng) 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】200050上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】長(zhǎng)寧區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610117154.4 【申請(qǐng)日】2006-10-13 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1933263A 【公開公告日】2007-03-21 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】吳惠楨; 曹萌; 勞燕鋒; 黃占超; 劉成; 謝正生 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種提高III-V族應(yīng)變多量子阱發(fā)光強(qiáng)度的方法，其特征在于具體步 驟是： a.將III-V族應(yīng)變多量子阱生長(zhǎng)片解理為正方形或長(zhǎng)方形； b.用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法對(duì)III-V族應(yīng)變量子阱生長(zhǎng)片的表 面用Si3N4作掩膜進(jìn)行保護(hù)； c.用氫氟酸將作保護(hù)的掩膜去除一半，使應(yīng)變量子阱生長(zhǎng)片的一半表面 露出來； d.采用干法刻蝕方法對(duì)III-V族應(yīng)變量子阱生長(zhǎng)片的覆蓋層進(jìn)行刻蝕； e.刻蝕后用HF將剩余Si3N4掩膜去除。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000425006790C 【被引證次數(shù)】5 【被自引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】5
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