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碳硅化鈦基梯度材料及原位反應(yīng)的制備方法

時(shí)間:2026-04-06    作者:admin 點(diǎn)擊: ( 0 ) 次

【摘要】 本發(fā)明涉及一種碳硅化鈦基梯度材料及原位反 應(yīng)的制備方法,其特征在于所制備的梯度材料一端是單相 Ti3SiC2,另一端為 Ti3SiC2-TiC或SiC-TiC相,中間至少一層,制備方法是按組 成,選擇Ti、Si、C和Al為原料,混和后放電等離子原位反 應(yīng)燒結(jié),燒結(jié)溫度為1200-1500℃,升溫速率為80-200℃ /min,壓力為50-70MPa,保溫6-10分鐘。本發(fā)明特征在于 使用商用粉體為原料,采用SPS原位反應(yīng)燒結(jié),反應(yīng)時(shí)間短, 能耗低,具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。。關(guān)注微信公眾號(hào)馬克數(shù)據(jù)網(wǎng) 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區(qū)定西路1295號(hào) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610030080.0 【申請日】2006-08-16 【申請年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1908214A 【公開公告日】2007-02-07 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100455688C 【授權(quán)公告日】2009-01-28 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號(hào)】C22C29/06; C22C1/05; B22F9/04; B22F3/14; B22F9/02 【發(fā)明人】王連軍; 張建峰; 江莞; 陳立東 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種碳硅化鈦基梯度材料,其特征在于: (1)所制備的碳硅化鈦基梯度相材料一端是單相Ti3SiC2,另一端是Ti3SiC2-TiC,中間至少一層,滿足化學(xué)式 3(1-x)Ti+Si+(2-x)C→(1-x) Ti3SiC2+xSiC 0≤x<1; (2)所制備的碳硅化鈦基梯度材料一端是單相Ti3SiC2,另一端為SiC-TiC相,中間至少一層,滿足化學(xué)式 3(1-x)Ti+Si+(2-x)C→(1-x) Ti3SiC2+xSiC 0≤x≤1,且當(dāng)x=1時(shí), Si+Ti+2C→SiC+TiC 。 微信公眾號(hào)馬克 數(shù)據(jù)網(wǎng) 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市長寧區(qū)定西路1295號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000425006547H 【引證次數(shù)】4.0 【被引證次數(shù)】15 【自引次數(shù)】4.0 【被他引次數(shù)】15.0 【家族引證次數(shù)】7.0 【家族被引證次數(shù)】15

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