【摘要】使用狀態(tài)參考圖為已配上ATM機(jī)、行名、廣告等具體實(shí)施例圖?！緦＠愋汀客庥^設(shè)計(jì)【申請人】上海七百集團(tuán)九思科技發(fā)展有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】200051上海市長寧路1515號星火大廈三樓【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上
【摘要】 一種納米材料技術(shù)領(lǐng)域的較大孔間距的氧化鋁納米孔陣列膜的快速穩(wěn)定生長方法。步驟為：第一，配制磷酸－水－乙醇電解液：其中H2O和C2H5OH體積比為4∶1，H3PO4濃度為0.25－0.5mol/L，電解液總體積為2L；第二，鋁片預(yù)處理：將圓形鋁片放入丙酮中浸泡，擦拭干凈，并用去離子水沖洗，使用高氯酸和乙醇混合溶液在恒壓條件下電化學(xué)拋光；第三，使用低溫恒溫槽將電解液溫度降至－5～－10℃溫度，并對電解液進(jìn)行攪拌，在陽極氧化電壓為195V、電流密度為1500－4000Am－2的條件下對鋁片進(jìn)行一次腐蝕；第四，將一次腐蝕后的樣品在鉻酸混合水溶液中浸泡，溫度保持在60℃，以去除一次腐蝕產(chǎn)生的氧化鋁；第五，在與第三步相同的條件下對樣品進(jìn)行二次腐蝕。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】上海交通大學(xué) 【申請人類型】學(xué)校 【申請人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610118666.2 【申請日】2006-11-23 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1974873A 【公開公告日】2007-06-06 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】鄭茂俊; 李嚴(yán)波; 馬荔; 沈文忠 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種較大孔間距的氧化鋁納米孔陣列膜的快速穩(wěn)定生長方法，其特征在 于，具體步驟為： 第一，配制磷酸-水-乙醇電解液：其中H2O和C2H5OH體積比為4∶1，H3PO4濃 度為0.25-0.5mol/L，電解液總體積為2L； 第二，鋁片預(yù)處理：將圓形鋁片放入丙酮中浸泡，將其表面擦拭干凈，并用 去離子水沖洗，使用高氯酸和乙醇混合溶液在恒壓條件下電化學(xué)拋光； 第三，使用低溫恒溫槽將電解液溫度降至-5～-10℃溫度，并對電解液進(jìn)行 攪拌，在陽極氧化電壓為195V、電流密度為1500-4000Am-2的條件下對鋁片進(jìn)行 一次腐蝕； 第四，將一次腐蝕后的樣品在鉻酸混合水溶液中浸泡，溫度保持在60℃，以 去除一次腐蝕產(chǎn)生的氧化鋁； 第五，在與第三步相同的條件下對樣品進(jìn)行二次腐蝕。 【當(dāng)前權(quán)利人】上海交通大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號 【統(tǒng)一社會信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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