【摘要】一種采集并核實(shí)信息方法，包括如下步驟：為多 個(gè)企業(yè)提供一個(gè)中立的商務(wù)廳；所述商務(wù)廳采集加盟該商務(wù)廳 的所有企業(yè)的信息，并存儲(chǔ)在一個(gè)企業(yè)信息數(shù)據(jù)庫(kù)中；所述商 務(wù)廳核對(duì)所述加盟企業(yè)的信息；根據(jù)核對(duì)步驟的結(jié)果，所述商 務(wù)廳發(fā)布加盟企業(yè)的真
【摘要】 一種熱蒸發(fā)法合成小直徑單晶SiC納米絲有序陣列的方法，屬于納米材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用硅片作為反應(yīng)襯底和硅源，以固態(tài)碳材料為前驅(qū)體，以ZnS粉末為輔助劑，以惰性氣體氬氣為保護(hù)氣體及載氣，進(jìn)行氧化還原反應(yīng)，從而在硅片上成核并生長(zhǎng)成大量小直徑單晶有序排列的SiC納米絲陣列。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單易行，成本低廉，對(duì)環(huán)境無(wú)污染，采用惰性氣體保護(hù)，無(wú)明顯易燃危險(xiǎn)原料，氣體價(jià)格低廉；收率高，可以連續(xù)化操作。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】上海交通大學(xué) 【申請(qǐng)人類型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610148218.7 【申請(qǐng)日】2006-12-28 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN101003912A 【公開(kāi)公告日】2007-07-25 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100415952C 【授權(quán)公告日】2008-09-03 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號(hào)】C30B29/36; C30B29/62; C30B25/00; C01B31/36; C30B29/10; C01B31/00; C30B29/00 【發(fā)明人】牛俊杰; 王健農(nóng) 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種熱蒸發(fā)法合成小直徑單晶SiC納米絲有序陣列的方法，其特征在于， 采用硅片作為反應(yīng)襯底和硅源，以固態(tài)碳材料為前驅(qū)體，以ZnS粉末為輔助劑， 以惰性氣體氬氣為保護(hù)氣體及載氣，進(jìn)行氧化還原反應(yīng)，從而在硅片上成核并生 長(zhǎng)成大量小直徑單晶有序排列的SiC納米絲陣列。 【當(dāng)前權(quán)利人】上海交通大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數(shù)】4 【被他引次數(shù)】4.0 【家族引證次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】4
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