【摘要】本實(shí)用新型涉及空冷汽輪機(jī)低壓隔板汽封。一種空冷汽輪機(jī)橢圓式隔板汽封，其特征是在低壓末幾級(jí)，隔板汽封的上下間隙比左右間隙稍大，汽封裝配后與轉(zhuǎn)子的上下間隙比左右間隙稍大。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易操作，對(duì)汽輪機(jī)熱經(jīng)濟(jì)性損失影響小，可大大提高
【摘要】 本發(fā)明公開了一種單晶InP方形納米孔陣列的制備方法，屬于納米技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明利用兩步化學(xué)刻蝕方法，包括電化學(xué)刻蝕過程和無電濕法刻蝕過程，首先為電化學(xué)刻蝕過程，包括InP單晶片樣品的準(zhǔn)備、電拋光和多孔陣列刻蝕，其后為無電濕法刻蝕過程，包括濕法擇優(yōu)腐蝕和超聲波清洗，最終獲得單晶InP方形納米孔陣列。利用本發(fā)明方法，實(shí)現(xiàn)了在Sn摻雜n型(100)面InP單晶樣品制備均勻有序的單晶InP方形納米孔陣列。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】上海交通大學(xué) 【申請(qǐng)人類型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610119251.7 【申請(qǐng)日】2006-12-07 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1986912A 【公開公告日】2007-06-27 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100415953C 【授權(quán)公告日】2008-09-03 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號(hào)】C30B33/10; C30B33/00 【發(fā)明人】鄭茂俊; 曾安生; 馬荔; 沈文忠 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種單晶InP方形納米孔陣列的制備方法，其特征在于，利用兩步化學(xué)刻 蝕方法，包括電化學(xué)刻蝕過程和無電濕法刻蝕過程： 首先為電化學(xué)刻蝕過程，包括InP單晶片樣品的準(zhǔn)備、電拋光和多孔陣列刻 蝕； 然后為無電濕法刻蝕過程，包括濕法擇優(yōu)腐蝕和超聲波清洗； 最終獲得單晶InP方形納米孔陣列。 【當(dāng)前權(quán)利人】上海交通大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數(shù)】2 【被他引次數(shù)】2.0 【家族引證次數(shù)】1.0 【家族被引證次數(shù)】2
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