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一種多孔SiO2薄膜的制備方法

時間:2026-04-09    作者:admin 點擊: ( 0 ) 次

【摘要】 一種多孔SiO2薄膜的制備方法,采用平行極板式電容耦合等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設(shè)備,上電極極板為雙層篩狀進氣結(jié)構(gòu),兩極板的板間距為2.5cm~3.5cm,13.56MHz的射頻信號經(jīng)匹配網(wǎng)絡(luò)聯(lián)接到上極板上,下電極極板接地,同時作為樣品臺;按常規(guī)方法對Si基片進行前期處理后固定在樣品臺上,然后對反應(yīng)室抽真空至真空度達1.0×10-4Pa;反應(yīng)氣體SiH4與N2O氣體流量比設(shè)置為30sccm/30sccm到30sccm/65sccm之間,N2O的濃度是SiH4的5~15倍,反應(yīng)氣體壓強為5Pa到15Pa;設(shè)備的射頻功率為300W到450W,襯底溫度為25℃到60℃,在低溫下連續(xù)沉積獲得孔隙率在29%~47%從幾百納米到幾個微米的大面積多孔SiO2薄膜;該方法工藝步驟簡單,控制性好,制備過程與半導體硅工藝完全兼容,適合于器件的集成制造。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】昆明物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】650223云南省昆明市五華區(qū)教場東路31號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】昆明市 【申請人區(qū)縣】五華區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610163825.0 【申請日】2006-12-20 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1974839A 【公開公告日】2007-06-06 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100497730C 【授權(quán)公告日】2009-06-10 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】莫鏡輝; 劉黎明; 楊培志 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種多孔SiO2薄膜的制備方法,其特征在于步驟如下: (1)、采用平行極板式電容耦合等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設(shè) 備,按常規(guī)方法對Si基片進行前期處理后固定在樣品臺上,然后對反應(yīng)室抽真 空至真空度達1.0×10-4Pa; (2)、反應(yīng)氣體SiH4與N2O氣體流量比設(shè)置為30sccm/30sccm到 30sccm/65sccm之間,N2O的濃度是SiH4的5~15倍,反應(yīng)氣體壓強為5Pa到 15Pa; (3)、設(shè)置等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備的射頻功率為300W到450W, 襯底溫度為25℃到60℃,輸入反應(yīng)氣體經(jīng)沉積反應(yīng)得到疏松多孔SiO2薄膜。 【當前權(quán)利人】昆明物理研究所 【當前專利權(quán)人地址】云南省昆明市五華區(qū)教場東路31號 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE

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