【摘要】本發(fā)明是一種制備高蒸汽壓組分的III-V族半導體化合物薄膜的射頻濺射方法。為使濺射膜有較好化學計量比,本發(fā)明采用合成III-V族化合物塊錠或碎料和相應的高蒸汽壓五族元素材料一起作為濺射靶并置于濺射室下方。本發(fā)明方法可在不同的襯底溫度
【專利類型】外觀設計 【申請人】JMP紐柯有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】香港九龍九龍灣 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】香港特別行政區(qū) 【申請?zhí)枴緾N91300145.7 【申請日】1991-01-21 【申請年份】1991 【公開公告號】CN3010288S 【公開公告日】1991-08-07 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN3010288S 【授權公告日】1991-08-07 【授權公告年份】1991.0 【發(fā)明人】羅納德·J·羅斯 【主權項內容】無 【當前權利人】JMP紐柯有限公司 【當前專利權人地址】香港九龍九龍灣
未經允許不得轉載:http://www.sg012.cn/1775373536.html
喜歡就贊一下






