【摘要】本外觀設(shè)計(jì)的左視圖、右視圖、后視圖與主視圖相同，省略左視圖、右視圖、 后視圖?！緦?zhuān)利類(lèi)型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】JMP紐柯有限公司【申請(qǐng)人類(lèi)型】企業(yè)【申請(qǐng)人地址】香港九龍九龍灣【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó)【申請(qǐng)人城市】香港特別行政區(qū)【申請(qǐng)?zhí)枴緾N
【摘要】 本發(fā)明是一種制備高蒸汽壓組分的III-V族半導(dǎo)體化合物薄膜的射頻濺射方法。為使濺射膜有較好化學(xué)計(jì)量比，本發(fā)明采用合成III-V族化合物塊錠或碎料和相應(yīng)的高蒸汽壓五族元素材料一起作為濺射靶并置于濺射室下方。本發(fā)明方法可在不同的襯底溫度下，得到單晶，多晶或非晶的III-V族半導(dǎo)體化合物薄膜。 【專(zhuān)利類(lèi)型】發(fā)明授權(quán) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院上海冶金研究所 【申請(qǐng)人類(lèi)型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】上海市長(zhǎng)寧路865號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】長(zhǎng)寧區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N85100504.7 【申請(qǐng)日】1985-04-01 【申請(qǐng)年份】1985 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1012741B 【公開(kāi)公告日】1991-06-05 【公開(kāi)公告年份】1991 【授權(quán)公告號(hào)】CN1012741B 【授權(quán)公告日】1991-06-05 【授權(quán)公告年份】1991.0 【IPC分類(lèi)號(hào)】C23C14/34; H01L21/203; H01L21/02 【發(fā)明人】黎錫強(qiáng) 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種制備有高蒸氣壓組分的InP半導(dǎo)體薄膜的射頻濺射方法， 其特征在于用InP塊錠或碎料和少量紅磷一起作為濺射靶置于濺射 室下方，襯底置于濺射室上方，在1-5×10-2乇氬氣壓強(qiáng)及230 -350℃襯底溫度下進(jìn)行濺射沉積。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院上海冶金研究所 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】上海市長(zhǎng)寧路865號(hào)
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