【摘要】本發(fā)明公開了一種甚長波碲鎘汞紅外焦平面探測器的抗反膜及制備方法，所述的抗反膜是置在光敏元列陣、信號(hào)引出電極區(qū)和公共電極區(qū)上的。置于光敏元列陣上的抗反膜是0.8－1.5微米厚的ZnS材料，置在信號(hào)引出電極區(qū)和公共電極區(qū)上的抗反膜是厚度
【摘要】 本發(fā)明公開了一種自增益長波量子阱紅外探測 器，該器件由雙勢壘共振隧穿結(jié)構(gòu)和10個(gè)周期的多量子阱層 構(gòu)成。置于器件發(fā)射極端的雙勢壘共振隧穿結(jié)構(gòu)可以有效控制 注入載流子，從而達(dá)到減小器件暗電流，降低器件噪聲，增強(qiáng) 器件的光電流的目的。相比傳統(tǒng)的50周期的長波量子阱紅外 探測器還大大簡化了器件系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200083上海市玉田路500號(hào) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】虹口區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610118741.5 【申請日】2006-11-24 【申請年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1960007A 【公開公告日】2007-05-09 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100424896C 【授權(quán)公告日】2008-10-08 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號(hào)】H01L31/111; H01L31/101 【發(fā)明人】陸衛(wèi); 熊大元; 李寧; 甄紅樓; 張波; 陳平平; 李天信; 陳效雙; 李志鋒 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種自增益長波量子阱紅外探測器，其特征在于：在GaAs襯底層(1) 上有通過分子束外延或金屬有機(jī)化學(xué)汽相沉積依次逐層生長的： n型Si重?fù)诫s濃度為1.0×1018cm-3的AlxGa1-xAs發(fā)射極層(2)，其中 x＝0.14-0.15； 18-22nm厚的非摻雜AlxGa1-xAs過渡層(3)，其中x＝0.14-0.15； 5-10nm厚的AlxGa1-xAs勢壘層(4)，其中x＝0.3-0.4； 5-10nm厚的非摻雜AlxGa1-xAs量子阱層(5)，其中x＝0.14-0.15； 5-10nm厚的AlxGa1-xAs勢壘層(6)，其中x＝0.3-0.4； 18-22nm厚的非摻雜AlxGa1-xAs過渡層(7)，其中x＝0.14-0.15； 交替生長10個(gè)周期的多量子阱層(8)； 55-60nm厚的AlxGa1-xAs勢壘層(9)，其中x＝0.14-0.15； n型Si重?fù)诫s濃度為1.0×1018cm-3的AlxGa1-xAs上集電極層(10)，其中 x＝0.14-0.15； 其中勢壘層(4)、量子阱層(5)、勢壘層(6)三層構(gòu)成雙勢壘的共振隧穿 結(jié)構(gòu)； 所說的交替生長10個(gè)周期的多量子阱層，每個(gè)周期包括1個(gè)55-60nm厚的 AlxGa1-xAs勢壘層和1個(gè)6-7nm厚的GaAs量子阱層，其中x＝0.14-0.15。 微信公眾號(hào)馬克數(shù)據(jù)網(wǎng) 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市玉田路500號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000425005579K 【家族引證次數(shù)】5.0
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