【專利類型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】上海寺岡電子有限公司【申請(qǐng)人類型】企業(yè)【申請(qǐng)人地址】201505上海市金山區(qū)亭林工業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)南金公路6058號(hào)【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó)【申請(qǐng)人城市】上海市【申請(qǐng)人區(qū)縣】金山區(qū)【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630038204.0【
【摘要】 本發(fā)明涉及微機(jī)械紅外熱電堆探測(cè)器結(jié)構(gòu)及其 制作方法，其特征在于作為紅外吸收層的懸浮膜結(jié)構(gòu)具有多種 形狀的腐蝕開(kāi)口，使用各向同性的干法刻蝕從正面腐蝕襯底形 成懸浮膜結(jié)構(gòu)釋放器件。探測(cè)器的襯底和懸浮于框架中間的紅 外吸收層分別構(gòu)成熱電堆的冷結(jié)區(qū)和熱結(jié)區(qū)，支撐臂連接框架 和紅外吸收區(qū)并承載熱電堆；中間懸浮的紅外吸收層帶有不同 形狀的腐蝕開(kāi)口，作為干法刻蝕工作氣體進(jìn)入襯底進(jìn)行反應(yīng)的 通道。采用了標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中最常見(jiàn)的材料，便于實(shí)現(xiàn)和信 號(hào)處理電路的集成。使用了選擇性很好的干法刻蝕形成紅外吸 收層，相比傳統(tǒng)的濕法腐蝕不僅簡(jiǎn)化了工藝流程，降低了對(duì)光 刻機(jī)的要求；同時(shí)不需考慮對(duì)其它材料的破壞，拓寬了探測(cè)器 可用材料的范圍。 更多數(shù)據(jù)：www.macrodatas.cn 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】200050上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】長(zhǎng)寧區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610118474.1 【申請(qǐng)日】2006-11-17 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1960017A 【公開(kāi)公告日】2007-05-09 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100440561C 【授權(quán)公告日】2008-12-03 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號(hào)】H01L35/32; H01L35/34; G01J1/42; G01J5/12; H01L35/00 【發(fā)明人】熊斌; 楊恒昭; 李鐵; 王翊; 王躍林 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、微機(jī)械熱電紅外探測(cè)器，其特征在于所述探測(cè)器是由襯底、框架、 熱電堆、支撐臂、紅外吸收層和腐蝕開(kāi)口六部分構(gòu)成；襯底和懸浮于框架中 間的紅外吸收層分別構(gòu)成熱電堆的冷結(jié)區(qū)和熱結(jié)區(qū)，支撐臂連接框架和紅外 吸收區(qū)并承載熱電堆；中間懸浮的紅外吸收層帶有不同形狀的腐蝕開(kāi)口，作 為干法刻蝕工作氣體進(jìn)入襯底進(jìn)行反應(yīng)的通道。 來(lái)源：馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng) 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000425006790C 【被引證次數(shù)】27 【被自引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】26.0 【家族引證次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】27
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