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一種CMOS工藝兼容的嵌入懸浮螺管結(jié)構(gòu)電感或互感的制作方法

時間:2026-04-06    作者:admin 點擊: ( 0 ) 次

【摘要】 本發(fā)明涉及一種與CMOS工藝兼容的嵌入懸浮 螺管結(jié)構(gòu)電感或互感的制作方法,其特征在于首先在硅片的表 面電鍍出電感或互感的上導(dǎo)線,再利用各向異性腐蝕形成“V” 字形或倒梯形的溝槽,在溝槽里面制作電感或互感的下導(dǎo)線, 并使下導(dǎo)線與上導(dǎo)線在硅片表面處交疊,形成良好的電連接, 最后采用XeF2氣體各向同性干 法腐蝕釋放出整個線圈結(jié)構(gòu)。電感或互感的線圈由兩邊的二氧 化硅層支撐。本發(fā)明采用常溫工藝在普通硅片上實現(xiàn)一種高Q 值(品質(zhì)因數(shù))的螺管形電感或高增益的互感,工藝步驟簡明、 成品率高,整個器件工藝與CMOS工藝相兼容。且器件懸浮的 嵌入于硅片內(nèi)部,有利于封裝和后序工藝加工。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區(qū)長寧路865號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610029276.8 【申請日】2006-07-21 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1889233A 【公開公告日】2007-01-03 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100405543C 【授權(quán)公告日】2008-07-23 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L21/02; H01L21/822; H01L21/00; H01L21/70 【發(fā)明人】李昕欣; 顧磊 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種與CMOS工藝兼容的嵌入式懸浮螺管結(jié)構(gòu)電感或互感的制作方 法,其特征在于首先在硅片的表面電鍍出電感或互感的上導(dǎo)線,再利用各向 異性腐蝕形成“V”字形或倒梯形的溝槽,在溝槽里面制作電感或互感的下 導(dǎo)線。并使下導(dǎo)線與上導(dǎo)線在硅片表面處交疊,形成良好的電連接,最后采 用XeF2氣體各向同性干法腐蝕釋放出整個線圈結(jié)構(gòu)。 馬-克-數(shù)據(jù) 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市長寧區(qū)長寧路865號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425006790C 【被引證次數(shù)】5 【被他引次數(shù)】5.0 【家族引證次數(shù)】8.0 【家族被引證次數(shù)】5

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