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半導(dǎo)體無像元遠(yuǎn)紅外上轉(zhuǎn)換成像裝置制造方法

時間:2026-04-06    作者:admin 點擊: ( 0 ) 次

【摘要】 一種半導(dǎo)體光電探測技術(shù)領(lǐng)域的半導(dǎo)體無像元 遠(yuǎn)紅外上轉(zhuǎn)換成像裝置制造方法。步驟如下:(1)確定探測器類 型為探測中心波長在60微米的同質(zhì)結(jié)內(nèi)光發(fā)射遠(yuǎn)紅外探測器, 發(fā)光二極管類型為發(fā)射光波長在硅電荷耦合器件響應(yīng)波長范 圍內(nèi)的近紅外發(fā)光二極管;(2)利用頻譜分析方法分別對探測器 及發(fā)光二極管列出連續(xù)性方程,通過求解連續(xù)性方程得到上轉(zhuǎn) 換成像效率及調(diào)制傳遞函數(shù),通過考察上轉(zhuǎn)換成像效率及成像 性能,得到優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu);(3)用分子束外延裝置先生長遠(yuǎn)紅 外探測器結(jié)構(gòu),接著在探測器上生長近紅外發(fā)光二極管結(jié)構(gòu), 得到半導(dǎo)體遠(yuǎn)紅外無像元上轉(zhuǎn)換成像裝置。本發(fā)明大大降低了 探測成像的成本,可實現(xiàn)更長波長光的上轉(zhuǎn)換成像。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】上海交通大學(xué) 【申請人類型】學(xué)校 【申請人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610117889.7 【申請日】2006-11-02 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1945859A 【公開公告日】2007-04-11 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100456503C 【授權(quán)公告日】2009-01-28 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L31/18 【發(fā)明人】沈文忠; 武樂可 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種半導(dǎo)體無像元遠(yuǎn)紅外上轉(zhuǎn)換成像裝置制造方法,其特征在于步驟如 下: (1)確定需要生長的探測器和發(fā)光二極管的類型:探測器類型為探測中心 波長在60微米的同質(zhì)結(jié)內(nèi)光發(fā)射遠(yuǎn)紅外探測器,發(fā)光二極管類型為發(fā)射光波長 在硅電荷耦合器件響應(yīng)波長范圍內(nèi)的近紅外發(fā)光二極管; (2)利用頻譜分析方法分別對探測器及發(fā)光二極管列出連續(xù)性方程,通過求 解連續(xù)性方程得到上轉(zhuǎn)換成像效率及調(diào)制傳遞函數(shù),通過考察上轉(zhuǎn)換成像效率 及成像性能,得到優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu); (3)用分子束外延裝置先生長遠(yuǎn)紅外探測器結(jié)構(gòu),接著在探測器上生長近紅 外發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),得到集成的半導(dǎo)體遠(yuǎn)紅外無像元上轉(zhuǎn)換成像裝置。 【當(dāng)前權(quán)利人】上海交通大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號 【統(tǒng)一社會信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數(shù)】2 【被自引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】1.0 【家族引證次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】2

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