【摘要】本發(fā)明公開了一種單晶InP方形納米孔陣列的制備方法,屬于納米技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明利用兩步化學(xué)刻蝕方法,包括電化學(xué)刻蝕過程和無電濕法刻蝕過程,首先為電化學(xué)刻蝕過程,包括InP單晶片樣品的準(zhǔn)備、電拋光和多孔陣列刻蝕,其后為無電濕法刻蝕過程,
【摘要】 1.紡織物,厚度不超過10mm。 2.后視圖與主視圖相同,省略后視圖。 3.請(qǐng)求保護(hù)的外觀設(shè)計(jì)包含色彩。 4.省略其他視圖。 【專利類型】外觀設(shè)計(jì) 【申請(qǐng)人】上海天合工藝品有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】201107上海市閔行北青公路1458號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630319108.3 【申請(qǐng)日】2006-12-30 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN300723087D 【公開公告日】2007-12-26 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN300723087D 【授權(quán)公告日】2007-12-26 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】陶昱 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無 【當(dāng)前權(quán)利人】上海天合工藝品有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市閔行北青公路1458號(hào) 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】913101126076700355
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