【摘要】省略后視圖； 單元圖案四方連續(xù)，無(wú)限定邊界； 請(qǐng)求保護(hù)的外觀(guān)設(shè)計(jì)包含色彩。來(lái)自：馬 克 團(tuán) 隊(duì)【專(zhuān)利類(lèi)型】外觀(guān)設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】上海題橋紡織染紗有限公司【申請(qǐng)人類(lèi)型】企業(yè)【申請(qǐng)人地址】201114上海市閔行區(qū)浦江鎮(zhèn)立躍路519號(hào)【申請(qǐng)人
【摘要】 一種硫化物輔助合成一維納米硅材料的方法，屬于納米材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明步驟為：第一步，反應(yīng)在帶有低真空系統(tǒng)的臥式石英管式爐中進(jìn)行，將干凈的硅片置于管式爐中央，同時(shí)把硫單質(zhì)或者含硫化合物置于石英管氣體通入的一側(cè)；第二步，首先升溫到900℃，之后升溫到反應(yīng)溫度1050－1250℃。在溫度達(dá)到750℃時(shí)，通入惰性氣體；第三步，在反應(yīng)溫度1050－1250℃下，保持腔內(nèi)壓強(qiáng)4500Pa，反應(yīng)持續(xù)進(jìn)行，反應(yīng)完后將反應(yīng)產(chǎn)物取出，在硅片表面得到大量一維納米硅材料。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單易行，成本低廉，對(duì)環(huán)境無(wú)污染，采用惰性氣體保護(hù)，無(wú)明顯易燃危險(xiǎn)原料，氣體價(jià)格低廉；收率高，設(shè)備簡(jiǎn)單，可以連續(xù)化操作，適于批量合成。 【專(zhuān)利類(lèi)型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】上海交通大學(xué) 【申請(qǐng)人類(lèi)型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610117576.1 【申請(qǐng)日】2006-10-26 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1944250A 【公開(kāi)公告日】2007-04-11 【公開(kāi)公告年份】2007 【IPC分類(lèi)號(hào)】C01B33/027; C01B33/00 【發(fā)明人】?？〗?【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種硫化物輔助合成一維納米硅材料的方法，其特征在于，采用IC工藝中常用的硅片作為反應(yīng)襯底和硅源，用硫單質(zhì)或含硫化和物作為反應(yīng)前驅(qū)體，以惰性氣體為保護(hù)氣體及載氣，進(jìn)行氧化還原反應(yīng)，分解出的硫被載氣帶到硅片表面與硅片發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成SiS化合物；將溫度再升高，SiS升華并分解出Si和SiS2，從而成核并形成一維納米硅結(jié)構(gòu)。 該數(shù)據(jù)由<馬克數(shù)據(jù)網(wǎng)>整理 【當(dāng)前權(quán)利人】上海交通大學(xué) 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數(shù)】5 【被他引次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】5
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