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P型太陽(yáng)能電池等級(jí)多晶硅制備工藝

時(shí)間:2026-04-05    作者:admin 點(diǎn)擊: ( 0 ) 次

【摘要】 本發(fā)明公開了一種p型太陽(yáng)能電池等級(jí)多晶硅的 制備工藝,制備工藝依次包括如下步驟:(1)選擇高品位硅石作 原料;(2)以高純石油焦與煤炭的混合物為還原劑還原硅石;(3) 中頻爐溫度分區(qū)精煉;(4)高溫電磁攪拌離心除雜;(5)高溫中高 頻振動(dòng)除雜;(6)脫磷;(7)鑄錠。本發(fā)明從硅石做起,純度自低 到高(不同于目前國(guó)際上的純度自高而低的傳統(tǒng)工藝),工藝簡(jiǎn) 明、電耗降低、產(chǎn)出率高、無(wú)粉塵、振動(dòng)、排污、腐蝕、爆炸 等環(huán)保安全問(wèn)題,可大幅降低目前太陽(yáng)能電池的原料成本。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】高文秀 【申請(qǐng)人類型】個(gè)人 【申請(qǐng)人地址】210083上海市虹口區(qū)玉田路500號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】虹口區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610017755.8 【申請(qǐng)日】2006-05-08 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1935647A 【公開公告日】2007-03-28 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100444410C 【授權(quán)公告日】2008-12-17 【授權(quán)公告年份】2008.0 【發(fā)明人】高文秀 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、p型太陽(yáng)能電池等級(jí)多晶硅制備工藝,其特征在于,依次包括如下步 驟: (1)硅石選擇:選擇單種金屬元素含量低于100ppmWt、總金屬含量 低于3000ppmWt、III族非金屬元素含量低于0.1ppmWt和V族非金屬元素 含量低于100ppmWt的硅石作原料; (2)硅石還原:采用金屬硅礦熱爐和高電流密度石墨電極還原硅石,還原 劑選用單種金屬元素含量低于100ppmWt、總金屬含量低于3000ppmWt和 III族非金屬元素含量低于0.1ppmWt的石油焦與煤炭的混合物,煤炭占還原 劑總重量的-30%; (3)中頻爐溫度分區(qū)精煉:利用中頻爐在1450-1800℃之間進(jìn)行溫度分區(qū) 精煉,中間吹氧、漂渣除雜; (4)高溫電磁攪拌離心除雜:利用旋轉(zhuǎn)強(qiáng)電磁場(chǎng)攪動(dòng)硅水,使雜質(zhì)沿半徑 方向分布,祛除芯部和周邊部高雜質(zhì)區(qū)域; (5)高溫中高頻振動(dòng)除雜:熔融上述工序所得塊狀硅料,硅湯澆注入外側(cè) 面用厚鐵板密貼包圍的保溫包中,控制溫度1500-1800℃、通過(guò)外圍的非接 觸交變強(qiáng)磁場(chǎng)振動(dòng)、保溫靜置,然后轉(zhuǎn)至保溫中間包運(yùn)送到下道工序; (6)脫磷:將保溫中間包置于密封容器中,抽真空至穩(wěn)定在10-3Torr以下, 然后充以略高于1大氣壓的惰性氣體,利用強(qiáng)電子槍轟擊硅水幕除磷,除磷 后的硅水用加溫坩堝承接轉(zhuǎn)運(yùn)至下一工序; (7)鑄錠:坩堝運(yùn)送至鑄錠爐上方,硅水泄入經(jīng)預(yù)熱的鑄錠爐內(nèi)鑄錠。 【當(dāng)前權(quán)利人】高文秀 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市虹口區(qū)玉田路500號(hào) 【被引證次數(shù)】14 【家族被引證次數(shù)】14

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