【摘要】本發(fā)明涉及一種以高純度、低介電常數(shù)的二氧化硅結(jié)合的Si3N4多孔陶瓷及制備方法，其特征在于石墨為造孔劑、以外加或氮化硅顆粒表面氧化生成的二氧化硅為結(jié)合相的氮化硅多孔陶瓷利用外加和氮化硅顆粒表面氧化生成的二氧化硅在高溫下的燒結(jié)把氮化硅
【摘要】 一種自動(dòng)貼膠裝置，其用于貼附一薄膜于一電子裝置表面上，其中自動(dòng)貼膠裝置包括一底座、一動(dòng)力單元及一控制單元。底座表面設(shè)置有一下模板，且下模板的上表面可容置電子裝置。動(dòng)力單元連接于下模板一端，并使下模板可前后滑動(dòng)于底座上。而控制單元電性連接于動(dòng)力單元以控制其下模板移動(dòng)。 詳見(jiàn)官網(wǎng)：www.macrodatas.cn 【專利類型】實(shí)用新型 【申請(qǐng)人】英華達(dá)(上海)科技有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】201114上海市漕河涇出口加工區(qū)浦星路789號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200620045569.0 【申請(qǐng)日】2006-09-06 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN200948688Y 【公開(kāi)公告日】2007-09-19 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN200948688Y 【授權(quán)公告日】2007-09-19 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號(hào)】B32B37/02; B32B37/10; B32B41/00; B32B39/00 【發(fā)明人】顧群 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種自動(dòng)貼膠裝置，其用于貼附一薄膜于一電子裝置表面上，其 特征在于，該自動(dòng)貼膠裝置包括： 一底座，其表面設(shè)置有一下模板，該下模板的上表面用以容置一電子 裝置； 一動(dòng)力單元，連接于所述下模板一端，且驅(qū)動(dòng)所述下模板前后滑動(dòng)于 所述底座上； 一控制單元，電性連接于所述動(dòng)力單元；及 一上模板，其設(shè)置相對(duì)于所述下模板上，該上模板的下表面具有一貼 膠單元，用以向下附壓其貼膠于所述電子裝置上。 【當(dāng)前權(quán)利人】英華達(dá)(上海)科技有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市漕河涇出口加工區(qū)浦星路789號(hào) 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司(外國(guó)法人獨(dú)資) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】91310000758420965R 【被引證次數(shù)】1 【被他引次數(shù)】1.0 【家族被引證次數(shù)】1
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