【摘要】一種應(yīng)用自由空間耦合技術(shù)調(diào)制光的方法及調(diào) 制器，調(diào)制器的下層金屬膜、有機聚合物薄膜和上層金屬膜依 次鍍在襯底的上表面，上下層金屬膜和有機聚合物薄膜構(gòu)成雙 面金屬包覆波導結(jié)構(gòu)，上層金屬膜和有機聚合物薄膜構(gòu)成了衰 減全反射結(jié)構(gòu)。方法如下
【摘要】 高頻大功率電容組合，屬于電子元器件技術(shù)領(lǐng) 域。包括5只高頻大功率電容，上、下骨架，其中高頻大功率 電容是由底層金屬片，中間介質(zhì)層和上層金屬片三者緊密貼合 后卷成一定直徑的圓柱體而構(gòu)成。上、下骨架均是由鋁合金材 料制成的長方形金屬塊，五只高頻大功率電容并聯(lián)，并緊固在 上、下骨架內(nèi)。單只高頻大功率電容的耐壓可達1600V、可承 受30A以上大電流、散熱效果好、電容量可達0.4μf。采用5 只高頻大功率電容并聯(lián)構(gòu)成高頻大功率電容組合，該電容組合 的電容量可達到2μf，可承受100A大電流，能更好解決散熱 問題。本實用新型可應(yīng)用于食品和藥品封裝的鋁鉑封口機上， 提高了原有鋁鉑封口機的技術(shù)指標，具有較顯著的經(jīng)濟效益和 社會效益。。來源：百度馬 克 數(shù)據(jù)網(wǎng) 【專利類型】實用新型 【申請人】上海交通大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200620038866.2 【申請日】2006-01-12 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2859767Y 【公開公告日】2007-01-17 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN2859767Y 【授權(quán)公告日】2007-01-17 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號】H01G4/38 【發(fā)明人】張琴舜; 鄧琛; 高鵬 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種高頻大功率電容組合，包括五只高頻大功率電容(1)、上骨架(2)、下 骨架(3)，其特征在于高頻大功率電容(1)是由底層金屬片(5)，中間介質(zhì)層(6)和上層 金屬片(7)三者緊密貼合后卷制成直徑為26.8毫米的圓柱體而制成，圓柱體的外 表面用環(huán)氧樹脂絕緣封裝，底層金屬片(5)是采用一定寬度和厚度的長條紫銅片， 中間介質(zhì)層(6)是采用寬度和底層金屬片相同的尼龍薄膜，上層金屬片(7)是采用 兩條寬度大于底層金屬片(5)一半，厚度與底層金屬片相同的長條紫銅片，兩長 條紫銅片之間留有一定間隙，并沿長度方向并放在中間介質(zhì)層(6)上方，其兩側(cè) 外沿制成鋸齒形邊(12)，鋸齒形邊(12)的內(nèi)沿與底層金屬片(5)、中間介質(zhì)層(6)的 兩側(cè)外沿平齊，在將底層金屬片(5)、中間介質(zhì)層(6)和上層金屬片(7)緊密貼合卷 成圓柱體后，再將凸出的鋸齒形邊(12)聚合包扎成高頻大功率電容(1)兩端的導電 極柱(4)；上骨架(2)和下骨架(3)均是由鋁合金材料制成的長方形金屬塊，在上骨 架(2)的下底面和下骨架(3)的上底面開有置放高頻大功率電容的五只圓孔，沿上、 下骨架的寬度方向一邊對應(yīng)開三只孔，另一邊對應(yīng)開兩只孔，圓孔的直徑略大于 高頻大功率電容(1)的直徑，圓孔的深度能保證高頻大功率電容(1)放進去后，上、 下骨架之間有一定間隙，在上骨架(2)的上底面和下骨架(3)的下底面，相應(yīng)于五 只圓孔中心位置，分別開有略大于導電極柱(4)的小孔，導電極柱(4)分別從上骨 架(2)的上底面和下骨架(3)的下底面伸出，將導電極柱(4)折彎后分別與上、下骨 架緊密接觸，五只高頻大功率電容(1)并聯(lián)，在上骨架(2)和下骨架(3)沿長度方向 的兩個端面上分別開有對穿的通水孔(10)，在上骨架(2)和下骨架(3)一端的通水孔 (10)旁開有導電孔(11)，在置放兩只高頻大功率電容(1)一側(cè)的上骨架(2)和下骨架 (3)兩端的底面上分別開有定位安裝孔(9)，在定位安裝孔(9)內(nèi)置放螺釘，五只高 頻大功率電容(1)緊固在上骨架(2)和下骨架(3)內(nèi)。 來自馬克數(shù)據(jù)網(wǎng) 【當前權(quán)利人】上海交通大學 【當前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號 【統(tǒng)一社會信用代碼】1210000042500615X0
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