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【摘要】本發(fā)明提供一種提高III－V族應(yīng)變多量子阱發(fā) 光強度的方法，其特征是通過離子刻蝕方法增強III－V族發(fā)光 材料的發(fā)光亮度。離子刻蝕覆蓋層采用感應(yīng)耦合等離子體(ICP) 或反應(yīng)離子(RIE)等刻蝕技術(shù)。刻蝕所采用的氣體為Ar離子或 A

【摘要】一種薄型電磁變換器，由永久磁鐵和振膜構(gòu)成，永久磁鐵由永久磁鐵板構(gòu)成，永久磁鐵板上、相對振膜的側(cè)面中設(shè)置有復(fù)數(shù)個N極和S極條狀磁化帶，N極和S極條狀磁化帶相互平行并交替相鄰設(shè)置，N極和S極條狀磁化帶的鄰接線上設(shè)置有復(fù)數(shù)個排氣孔，排氣孔

【摘要】本發(fā)明提供了一種海量數(shù)據(jù)統(tǒng)計方法，該方法建有MT、MC、MO三個數(shù)據(jù)庫表，并在三個表中分別建立五個數(shù)據(jù)表空間。三個表分別分成91個分區(qū)，用于保存連續(xù)90天的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)的查詢和統(tǒng)計分析可根據(jù)日期計算要查詢的分區(qū)號，根據(jù)分區(qū)號查找指定分

【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】奧雷通光通訊設(shè)備(上海)有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】200335上海市長寧區(qū)天山西路789號3樓西側(cè)【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】長寧區(qū)【申請?zhí)枴緾N200630037345.

【摘要】一種碳納米管銅復(fù)合鍍膜及電互連引線的制備 方法，屬于電子材料與器件領(lǐng)域。本發(fā)明將經(jīng)純化、分散修飾 后的碳納米管配制成穩(wěn)定分散的碳納米管—銅復(fù)合鍍液，通過 電化學(xué)或化學(xué)沉積方法制備碳納米管—銅復(fù)合鍍層，進一步結(jié) 合微結(jié)構(gòu)電鍍、光刻刻蝕

【摘要】一種用交流繼電器開關(guān)的待機方法，它由電阻、 電容、半導(dǎo)體器件、繼電器和相關(guān)程序組成，其特征是：電容 和電阻的并聯(lián)體與整流器輸入端串聯(lián)后并聯(lián)在市電兩端；該整 流器輸出端并聯(lián)穩(wěn)壓管和電容后接單片機的電源端；光耦的輸 入端經(jīng)電阻正向串接在